IPD70N10S3L-12 分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET单FET,MOS FET详细介绍

描述：IPD70N10S3L-12

100V、N 通道、 11.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS?-T
功能总结：IPD70N10S3L-12
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS）

*** 雪崩测试

 好处：IPD70N10S3L-12

电流能力 180A
低开关和传导功率损耗，实现高热效率
具有***品质和可靠性的坚固封装

优化的总栅极电荷可实现更小的驱动器输出级

 潜在应用：IPD70N10S3L-12

48V逆变器
48V直流/直流

隐藏照明

 制造商: Infineon

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 70 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 59 nC
最小工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: ReelIPD70N10S3L-12
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
系列: OptiMOS-T
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000261250 IPD7N1S3L12XT IPD70N10S3L12ATMA1
单位重量: 4 g